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    視覺電子裝置

    電子

    更快速、更小巧、更高效:微電子領域的進步與激光技術密不可分。

    不斷向小型化和大規模發展的趨勢是電子行業最重要的兩個特點。憑借前所未有的精確度和充分的自動化,激光技術提供能應對這些挑戰的工業解決方案。通快激光器在生產最新一代的計算機芯片上起到關鍵作用。另外,激光器還實現眾多其他過程步驟,如切割和鉆孔硅晶片、印刷電路板或整個電子模塊。在硅晶片的生產過程中,通快霍廷格電子發生器還為鍍膜與刻蝕工藝可靠而精確地提供工藝能量。

    半導體工業

    Laseranwendungen in der Halbleiterindustrie

    通快激光器能可再現與高質量地加工產品,特別適合電子行業——也可實現大批量生產。單是通快的 1000 多臺超短脈沖激光器就在全球行業領導者的生產環境中一年 365 天晝夜不停地工作。通快根據應用領域提供整套機器解決方案或單個激光技術套件。在這兩種情況下,客戶都能得益于通快集團的國際服務網絡。

    未來的大功率芯片

    TruFlow Laser-Amplifier für EUV-Anwendungen

    如果沒有激光技術,微電子的誕生以及我們現在的計算機和智能手機的基礎將是無法想象的。邏輯芯片和存儲芯片具有納米數量級的結構,只能通過復雜的曝光工藝利用激光射線制造。利用準分子激光器的紫外激光射線的傳統方法日益接近極限。未來,只能利用極紫外 (EUV) 范圍內的更短波長光線生成更加微小的結構。同最大的光刻機制造商 ASML 和光學領域專家 Zeiss 一起,TRUMPF 已長期深入致力于這種 EUV 光刻工藝,并開發出一款全球獨一無二的 CO2 激光裝置。因此,一項 TRUMPF 技術將在未來的眾多高性能芯片中得到應用。

    芯片制造

    Platine mit Chips

    TRUMPF 霍廷格電子的等離子體發生器在具體的芯片制造中同樣發揮著基礎作用。電源的質量決定了所生成等離子體的質量和精度。該等離子體將在后續步驟中用于摻雜(離子注入)、沉積(PECVD、ALD)和去除(等離子體刻蝕)不同材料,以制造半導體芯片。在此過程中生成的有毒環境氣體可在 TRUMPF 霍廷格電子制造的發生器中由一套特殊系統高效凈化,從而將半導體制造中的 CO2 足跡維持在盡可能低的水平。

    芯片、封裝和印刷電路板的冷精密加工

    利用 TruMicro 5000 系列激光器對線路板進行激光鉆孔作業。

    在硅晶片上曝光和構建電路后,分離至單獨的芯片是電子元器件工藝鏈的下一項挑戰。為了盡可能實現細小切縫和高邊緣質量以及防止敏感芯片因熱沖擊而損壞,將通快的超短脈沖激光器用于分單。其實現避免不利熱影響的材料加工和激光加工中的極高精確度。該激光器也適合切割敏感模塊(系統級封裝)、加工多材料印刷電路板以及在硅和玻璃上鉆出所謂的“微通孔”。此外,通快激光器還用于有針對性的涂層蝕刻、切割薄膜和標注。

    晶體生長

    浮區法

    晶體的合成制備是半導體制造的基礎,因此也是整個通信技術和媒體技術的基礎。單晶層在相同材料的單晶基板上生長,同時晶體結構保持不變。該工藝主要用于 LED 的制造。通快霍廷格電子的感應發生器通過快速精確地調節輸出量,實現均勻而穩定的溫度分布。

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