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    用于生產高性能芯片的通快激光放大器
    CO2 激光器

    通過激光脈沖為未來生產微芯片奠定基礎。

    EUV 光刻技術是數字時代的推動者

    EUV 光刻是未來微芯片制造方法中的翹楚。多年來,半導體產業一直在尋找符合成本效益并且能批量處理的方法,以便借此在硅晶片上曝光更小的結構。ASML、Zeiss 和通快合作開發了一項技術,用以獲得波長為 13.5 納米的工業用極紫外光 (EUV):在真空室內,液滴發生器每秒發射 50,000 個錫液滴。每一個液滴被 50,000 個激光脈沖中的一個擊中并變為等離子體。由此產生 EUV 光,再通過反射鏡將其引到需要曝光的晶片上。用于等離子體輻射的激光脈沖來自通快所開發的脈沖式 CO2-激光系統——通快激光放大器。

    從幾瓦到 40 千瓦

    通快激光放大器將激光脈沖連續放大 10,000 倍以上。

    高效和可靠加工

    通過發出預脈沖和主脈沖可將激光放大器的全部功率傳輸至錫液滴。

    CO2 激光器的新應用

    處于連續波運行的 CO2 激光器是高性能激光系統的基礎。通快以此創造了一項新的技術應用。

    龐大的專家網絡

    經過多年的密切合作,通快、ASML 和 ZEISS 使 EUV 技術達到工業規模的成熟水平。

    部件

    … 包含激光放大器。

    ... 電纜安裝在系統內。

    千克

    ... 為總重量。

    通快激光放大器的核心組件

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    視覺電子裝置
    電子

    從激光加工到晶體培養:通快為電子行業提供用于制造高性能半導體的基礎工藝。

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